


簡要描述:PEVCD管式爐系統(tǒng)為中型滑動(dòng)開啟式設(shè)備,適配 1200?1700℃工藝。集成等離子射頻電源、三路混氣系統(tǒng)與真空組件,爐體可滑動(dòng)實(shí)現(xiàn)快速升降溫。可調(diào)控薄膜應(yīng)力與化學(xué)計(jì)量比,沉積 SiOx、SiNx 等材料,廣泛用于薄膜材料研發(fā)實(shí)驗(yàn),性能穩(wěn)定、集成度高
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| 品牌 | JZ/精釗 | 價(jià)格區(qū)間 | 5萬-10萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
PEVCD 系統(tǒng)爐是面向薄膜材料制備的中型滑動(dòng)開啟式專用設(shè)備,擁有 1200℃、1500℃、1700℃多溫區(qū)規(guī)格,整套設(shè)備集成等離子射頻電源、三路質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)、開啟式管式爐及真空機(jī)組,可一站式完成氣相沉積實(shí)驗(yàn)。設(shè)備爐體可左右滑動(dòng),搭配射頻電源同步位移,實(shí)現(xiàn)快速升降溫;300W 射頻電源可產(chǎn)生等離子增強(qiáng)效應(yīng),降低實(shí)驗(yàn)溫度,通過頻率精準(zhǔn)調(diào)控薄膜應(yīng)力,工藝參數(shù)可調(diào),可沉積 SiOx、SiNx、a?Si:H 等多種功能薄膜。溫控系統(tǒng)采用 50 段智能可編程 PID 控制,控溫精度 ±1℃;真空系統(tǒng)搭配雙旋片式機(jī)械泵,真空度可達(dá) 10?2torr;三路高精度混氣系統(tǒng)精準(zhǔn)配比反應(yīng)氣體。整機(jī)符合 CE、ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),核心部件品質(zhì)可靠,是半導(dǎo)體、新能源、新材料領(lǐng)域薄膜制備的核心實(shí)驗(yàn)設(shè)備。

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